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    9. MOS管半桥电路-关键参数计算方法介绍
      • 发布时间:2022-05-17 18:02:51
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      • 阅读次数:
      MOS管半桥电路-关键参数计算方法介绍
      半桥电路-参数计算
      MOS管选型需要满足几个要求:
      1.足够的漏-源电压 VDS
      2.足够的漏极电流 ID
      3.快速开关的能力和开通、关断延时
      4.低的导通电阻Rds(on)
      例:如图,假设该电路输出功率为850W,负载8Ω,MOS管如何选型?
      MOS管 半桥电路 参数
      1.Vds电压是多少?
      根据P=U*U/R,得出输出的平均电压U=82V,这是平均值,需要转化成峰值电压Uo=√2*U=116V。
      又因为电源利用率为85%,所以Vp=Uo/85%=136V。Vn=-136V。所以Vds要大于136*2=272V。
      2.ID如何计算?
      根据P=I*I*R,得出I=10.3A。
      所以MOS管的选型应Vds>272V,ID>10.3A。
      可初步选择FDAF59N30,主要指标如下:
      1.漏-源电压 VDS=300V
      2.漏极电流 ID=34A
      3.上升时间ton=140ns
      4.关断时间toff=120ns
      5.电阻RDS(on) = 0.056Ω
      6.栅极电荷Q g =77nc
      从上述几大指标来看,该 MOS管的工作电压、电流均满足需求,在较短的开通和关断迟时间保证了系统的稳定性。
      MOS管驱动如何选择?
      可以通过计算得到MOS管在一个完整开关周期内所需要的功率Pg。
      计算公式为:
      Pg=Vgs*Qg*fsw,其中Vgs栅极驱动电压,fsw为开关频率。
      FDAF59N30在栅极驱动电压为 12V,开关频率为200KHZ时的消耗功率为:
      Pg=12*77*10-9*200*103 =0.1848W
      驱动需要提供的平均电流为:
      I= Pg/ Vgs=15.4mA。
      根据经验,在保证正常工作条件下FDAF59N30的典型开通和关断时间约为200ns,因此可以反推出驱动需要提供的瞬时电流为:
      Imax=Qg/t=77nc/200ns=385mA。
      所以MOS管驱动需要需要提供的电流大于385mA。
      因为这是高压MOS管,所以需要提供浮动栅极驱动能力。
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